HY3403P
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道
HY3403P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）140A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻2.8mΩ @ 70A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）115W(Tc)
类型N沟道
HY3403P
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| HY3403P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1099.28 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
HY3403P的全球分销商及价格
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立创商城 | HY3403P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.9912
10+:￥1.4922
30+:￥1.4006
100+:￥1.309
500+:￥1.2682
1000+:￥1.2481
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