HY3503C2
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W(Tc) 类型:N沟道
HY3503C2的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻2.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)156W(Tc)
类型N沟道
HY3503C2
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HY3503C2 | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 929.19 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY3503C2 | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.94 10+:¥1.42 30+:¥1.33 100+:¥1.24 500+:¥1.19 1000+:¥1.17
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