HY3712B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 漏源电压(Vdss):125V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 85A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):339W(Tc) 类型:N沟道
HY3712B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)125V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)170A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 85A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)339W(Tc)
类型N沟道
HY3712B
HY3712B及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
HY3712B | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1057.67 Kbytes | 共14页 |  | 无 |
HY3712B的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | HY3712B | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 漏源电压(Vdss):125V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 85A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):339W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.18 10+:¥3.8 30+:¥3.55 100+:¥3.3 500+:¥3.18 1000+:¥3.13
|
 立创商城 | HY3712B | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170A(Tc) 漏源电压(Vdss):125V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 85A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):339W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥7.25 10+:¥5.4 30+:¥5.06 100+:¥4.72 500+:¥4.57 1000+:¥4.5
|