HY3704P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):176A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W(Tc) 类型:N沟道
HY3704P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)176A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.6mΩ @ 88A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)192W(Tc)
类型N沟道
HY3704P
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HY3704P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1019.89 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
HY3704P的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | HY3704P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):176A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.91 10+:¥3.66 30+:¥3.43 100+:¥3.21 500+:¥3.1 1000+:¥3.05
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 立创商城 | HY3704P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):176A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥3.33 10+:¥2.44 30+:¥2.28 100+:¥2.12 500+:¥2.05 1000+:¥2.01
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