HY3312B的供应商，HY3312B规格参数，HY3312B的PDF资料

HY3312B /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：125V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 65A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道

HY3312B的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）125V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）130A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻9mΩ @ 65A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）278W(Tc)

类型N沟道

HY3312B

HY3312B的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HY3312B	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HY3312B	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HY3312B	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
集好芯城	HY3312B	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HY3312B	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	HY3312B	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市微碧半导体有限公司	HY3312B-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	HY3312B	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	HY3312B	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	HY3312B	华强电子世界三店5C123	0755-82732291,0755-85274662	罗明敏	询价

HY3312B及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
HY3312B	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]		915.99 Kbytes	共14页		无

HY3312B的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	HY3312B	HUAYI(华羿微)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：125V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 65A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.34 10+:￥3.22 30+:￥3.02 100+:￥2.82 500+:￥2.72 1000+:￥2.68

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