HY3410B
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：285W(Tc) 类型：N沟道
HY3410B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）140A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 70A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）285W(Tc)
类型N沟道
HY3410B
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| HY3410B | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1369.1 Kbytes | 共15页 |  | 无 |
HY3410B的全球分销商及价格
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立创商城 | HY3410B | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：285W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.98
10+:￥2.94
30+:￥2.75
100+:￥2.56
500+:￥2.48
1000+:￥2.43
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