HY3008B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道
HY3008B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200W(Tc)
类型N沟道
HY3008B
HY3008B的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | HY3008B | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥3.6 10+:¥2.68 30+:¥2.52 100+:¥2.35 500+:¥2.27 1000+:¥2.24
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 立创商城 | HY3008B | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.54 10+:¥1.87 30+:¥1.75 100+:¥1.62 500+:¥1.57 1000+:¥1.54
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