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HSU90N02 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道
HSU90N02的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 30A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)82W

类型N沟道

供应商HSU90N02
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深圳市宇浩扬科技有限公司HSU90N02深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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HSU90N02连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.43 Mbytes共6页HSU90N02的PDF下载地址
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HSU90N02HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道1+:¥0.9852
10+:¥0.7253
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100+:¥0.6299
500+:¥0.6087
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