HSU90N02
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道
HSU90N02的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 30A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)82W
类型N沟道
HSU90N02
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HSU90N02 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.43 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
HSU90N02的全球分销商及价格
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