HSU6008
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20.8W 类型:N沟道
HSU6008的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻90mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)20.8W
类型N沟道
HSU6008
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HSU6008 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20.8W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 700.45 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
HSU6008的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU6008 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20.8W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8147 10+:¥0.5998 30+:¥0.5603 100+:¥0.5209 500+:¥0.5033 1000+:¥0.4946
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