HSU6040
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道
HSU6040的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)112A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5.2mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)104W
类型N沟道
HSU6040
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| HSU6040 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.22 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU6040的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU6040 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道 | 1+:¥2.59 10+:¥1.89 30+:¥1.76 100+:¥1.63 500+:¥1.57 1000+:¥1.54
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