HSU3103
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:P沟道
HSU3103的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)35A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)34.7W
类型P沟道
HSU3103
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HSU3103 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 461.81 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU3103的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU3103 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:P沟道 | 1+:¥0.9852 10+:¥0.7253 30+:¥0.6776 100+:¥0.6299 500+:¥0.6087 1000+:¥0.5982
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