HSU4103
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道
HSU4103的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)27A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W
类型P沟道
HSU4103
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HSU4103 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.21 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU4103的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU4103 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 | 1+:¥0.8847 10+:¥0.6548 30+:¥0.6125 100+:¥0.5703 500+:¥0.5515 1000+:¥0.5423
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