HSU60P02
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道
HSU60P02的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 15A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)70W
类型P沟道
HSU60P02
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HSU60P02 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 519.86 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU60P02的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU60P02 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 | 1+:¥1.3165 10+:¥0.9866 30+:¥0.926 100+:¥0.8654 500+:¥0.8385 1000+:¥0.8252
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