HSU3016
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):96A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62W 类型:N沟道
HSU3016的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)96A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)62W
类型N沟道
HSU3016
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HSU3016 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):96A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.22 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU3016的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSU3016 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):96A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62W 类型:N沟道 | 1+:¥1.5347 10+:¥1.1298 30+:¥1.0555 100+:¥0.9811 500+:¥0.9481 1000+:¥0.9317
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