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HSU12N10 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道

HSU12N10的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻105mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）28W

类型N沟道

HSU12N10

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深圳市芯幂科技有限公司	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	+86-13267088774(微信同号)	李昊	询价
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HSU12N10	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		523.11 Kbytes	共5页		无

HSU12N10的全球分销商及价格

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立创商城	HSU12N10	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道	1+:￥0.7768 10+:￥0.5719 30+:￥0.5343 100+:￥0.4966 500+:￥0.4799 1000+:￥0.4716

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