HSU12N10
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道
HSU12N10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻105mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）28W
类型N沟道
HSU12N10
HSU12N10及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HSU12N10 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 523.11 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSU12N10的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HSU12N10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道 | 1+:￥0.7768
10+:￥0.5719
30+:￥0.5343
100+:￥0.4966
500+:￥0.4799
1000+:￥0.4716
|