HSH8004
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道
HSH8004的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)175A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)192W
类型N沟道
HSH8004
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HSH8004 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 767.55 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
HSH8004的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSH8004 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 | 1+:¥5.83 10+:¥4.28 30+:¥3.99 100+:¥3.71 500+:¥3.58 1000+:¥3.52
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