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HSH150N04 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道
HSH150N04的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A

栅源极阈值电压4.0V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)180W

类型N沟道

供应商HSH150N04
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深圳市芯幂科技有限公司HSH150N04深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司HSH150N04上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市荣创芯微科技有限公司HSH150N04深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
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郭小姐Email:860705666@qq.com询价
上海鑫癸子电子科技有限公司HSH150N04上海市浦东新区金海路2588号B区466室13636653728FreyaEmail:wuruofei@xgz.email询价
深圳市拓亿芯电子有限公司HSH150N04深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市祥亿丰创展电子有限公司HSH150N04深圳市福田区华强北路华强广场C座8F0755-83266191
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HSH150N04连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO588.87 Kbytes共5页HSH150N04的PDF下载地址
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HSH150N04HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道1+:¥2.64
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