HSH150N04
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
HSH150N04的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A
栅源极阈值电压4.0V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）180W
类型N沟道
HSH150N04
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| HSH150N04 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 588.87 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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立创商城 | HSH150N04 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道 | 1+:￥2.64
10+:￥1.94
30+:￥1.81
100+:￥1.69
500+:￥1.63
1000+:￥1.6
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