HSH200N02
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.0V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道
HSH200N02的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A
栅源极阈值电压5.0V @ 250uA
漏源导通电阻33mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200W
类型N沟道
HSH200N02
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HSH200N02 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.0V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 721.48 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSH200N02的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSH200N02 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5.0V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道 | 1+:¥6.77 10+:¥4.97 30+:¥4.64 100+:¥4.31 500+:¥4.16 1000+:¥4.09
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