HSH120N85
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道
HSH120N85的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)220W
类型N沟道
HSH120N85
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HSH120N85 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.18 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSH120N85 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道 | 1+:¥3.18 10+:¥2.32 30+:¥2.16 100+:¥2 500+:¥1.93 1000+:¥1.9
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