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HSG1002VE-TL-E /Renesas Electronics America/分立半导体产品
HSG1002VE-TL-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V

频率 - 跃迁:38GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

增益:8dB ~ 19.5dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-SMD,鸥翼型

供应商器件封装:4-MFPAK

供应商HSG1002VE-TL-E
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