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HSH190N03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):190A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道
HSH190N03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)190A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻2.4mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)180W

类型N沟道

供应商HSH190N03
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HSH190N03连续漏极电流(Id)(25°C 时):190A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO739.66 Kbytes共6页HSH190N03的PDF下载地址
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HSH190N03HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):190A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道1+:¥2.95
10+:¥2.2
30+:¥2.06
100+:¥1.93
500+:¥1.86
1000+:¥1.83