HSH190N03
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
HSH190N03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）190A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.4mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）180W
类型N沟道
HSH190N03
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| HSH190N03 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 739.66 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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10+:￥2.2
30+:￥2.06
100+:￥1.93
500+:￥1.86
1000+:￥1.83
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