HSH190N03
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):190A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道
HSH190N03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)190A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.4mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)180W
类型N沟道
HSH190N03
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HSH190N03 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):190A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 739.66 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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