HSH15810
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W 类型:N沟道
HSH15810的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)227W
类型N沟道
HSH15810
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HSH15810 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 809.10 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSH15810的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSH15810 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W 类型:N沟道 | 1+:¥4.53 10+:¥3.33 30+:¥3.11 100+:¥2.89 500+:¥2.79 1000+:¥2.74
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