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HN1C03FU-B(TE85L,F /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
HN1C03FU-B(TE85L,F的规格信息
HN1C03FU-B(TE85L,F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:US-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:25 V

集电极—射极饱和电压:42 mV

最大直流电集电极电流:300 mA

增益带宽产品fT:30 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:HN1C03

直流电流增益 hFE 最大值:1200

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Toshiba

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

供应商HN1C03FU-B(TE85L,F
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