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HN1B04FE-GR,LF /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
HN1B04FE-GR,LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:100 mV

最大直流电集电极电流:150 mA

增益带宽产品fT:80 MHz, 80 MHz

最大工作温度:+ 150 C

系列:HN1B04

直流电流增益 hFE 最大值:400

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Toshiba

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:100 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:4000

子类别:Transistors

单位重量:3 mg

供应商HN1B04FE-GR,LF
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HN1B04FE-GR,LF的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
HN1B04FE-GR,LFToshiba America Electronic Components, Inc.4000+:¥0.45
8000+:¥0.41
12000+:¥0.36
28000+:¥0.34
100000+:¥0.29
200000+:¥0.29
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Mouser 贸泽电子
HN1B04FE-GR,LFToshiba双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
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8000+:¥0.41
12000+:¥0.36
28000+:¥0.34
100000+:¥0.29
200000+:¥
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HN1B04FE-GR,LFTOSHIBA(东芝)集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V1+:¥3.56
10+:¥2.68
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100+:¥2.36
500+:¥2.29
1000+:¥2.25