数据列表:HN1B04F -
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):30V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V
功率 - 最大值:300mW
频率 - 跃迁:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:SM6
其它名称:HN1B04F (TE85L,F)HN1B04F(TE85LF)TR