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HN1B04FU-GR(L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN1B04FU-GR(L,F,T)的规格信息
HN1B04FU-GR(L,F,T)的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN，PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

其它名称：HN1B04FU-GR(LFT)TRHN1B04FU-GRLFT

供应商HN1B04FU-GR(L,F,T)
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HN1B04FU-GR(L,F,T)Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/RTOSHIBATOSHIBA的LOGO606.21 Kbytes共8页HN1B04FU-GR(L,F,T)的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		HN1B04FU-GR(L,F,T)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA1+:￥2.55
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