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HN1B01FDW1T1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Complementary
HN1B01FDW1T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-74-6

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:- 0.15 V

最大直流电集电极电流:0.2 A

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:HN1B01FDW1

高度:0.94 mm

长度:3 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.5 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:0.2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

Pd-功率耗散:380 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:13.430 mg

供应商HN1B01FDW1T1G
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HN1B01FDW1T1GComplementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO55.59 Kbytes共6页HN1B01FDW1T1G的PDF下载地址2SC4617_04,EMD4DXV6T1,EMC2DXV5T1_05,BC307,MD986,2SA1774_06,IT120,2SA2029M3,EMA6DXV5T1,2SC5658M3T5G
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Arrow(艾睿)
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary15000+:¥0.271+:¥1.74
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HN1B01FDW1T1GON SemiconductorSS SC74 GP DUAL XSTR TR - Tape and Reel9,000 : $0.0579
44,999 : $0.0531
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HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC749,000 : $0.06876
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Digi-Key 得捷电子
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary15000+:¥0.27
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Mouser 贸泽电子
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Complementary1:¥2.4634
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Rochester
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary15000+:¥0.271+:¥1.74
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HN1B01FDW1T1GON SemiconductorN/A500 : $0.05
1,000 : $0.05
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HN1B01FDW1T1GON SemiconductorHN1B01FDW1T1G SS SC74 GP DUAL XSTR TR价格未公开
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Verical
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-74 T/R$0.0546
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Wuhan P&S
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorComplementary Dual General Purpose Amplifier Transistor1 : $0.08
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