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HN1C01FU-GR,LF /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
HN1C01FU-GR,LF的规格信息
HN1C01FU-GR,LF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:100 mV

最大直流电集电极电流:150 mA

增益带宽产品fT:80 MHz

最大工作温度:+ 125 C

系列:HN1C01

直流电流增益 hFE 最大值:400 at 2 mA

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Toshiba

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:7.500 mg

供应商HN1C01FU-GR,LF
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