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HN1C01FUGRLFT /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN1C01FUGRLFT的规格信息
HN1C01FUGRLFT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:2 NPN(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V

功率 - 最大值:200mW

频率 - 跃迁:80MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:US6

其它名称:HN1C01FU-GR(L,F,T)HN1C01FUGRLFTTR

供应商HN1C01FUGRLFT
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100+:¥0.45
1000+:¥0.34
3000+:¥0.29
9000+:¥0.27
24000+:¥0.27
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3000+:¥0.29
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