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HN1C01FUGRLFT /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

HN1C01FUGRLFT的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

其它名称：HN1C01FU-GR(L,F,T)HN1C01FUGRLFTTR

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HN1C01FUGRLFT的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	HN1C01FUGRLFT	Toshiba America Electronic Components, Inc.	晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品半导体两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA	1+:￥1.8599 10+:￥1.04 100+:￥0.45 1000+:￥0.34 3000+:￥0.29 9000+:￥0.27 24000+:￥0.27 45000+:￥0.25 99000+:￥0.231+:￥0.17
Digi-Key 得捷电子	HN1C01FUGRLFT	Toshiba America Electronic Components, Inc.	晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品半导体两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA	1+:￥1.8599 10+:￥1.04 100+:￥0.45 1000+:￥0.34 3000+:￥0.29 9000+:￥0.27 24000+:￥0.27 45000+:￥0.25 99000+:￥0.23

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