FET 类型：N 和 P 沟道互补型
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：450mA（Ta），310mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
功率 - 最大值：350mW（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs