制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.34 A, 1.14 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms, 500 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:736.6 pC, 622.4 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.12 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:12.3 ns, 20.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns, 8.1 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.7 ns, 28.4 ns

典型接通延迟时间:5.1 ns, 5.1 ns