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CSD16414Q5 /MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
CSD16414Q5的规格信息
CSD16414Q5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:16.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD16414Q5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:138 S

下降时间:11.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18.4 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:100 mg

供应商CSD16414Q5
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深圳市威雅利发展有限公司CSD16414Q5华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司CSD16414Q5深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司CSD16414Q5广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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CSD16414Q5N-Channel NexFET™ Power MOSFET TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO348.17 Kbytes共11页CSD16414Q5的PDF下载地址无
CSD16414Q5的全球分销商及价格
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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