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CSD16409Q3 /MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
CSD16409Q3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.3 mm

系列:CSD16409Q3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:38 S

下降时间:3.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6.3 ns

典型接通延迟时间:6.5 ns

单位重量:41.800 mg

供应商CSD16409Q3
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深圳市威雅利发展有限公司CSD16409Q3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司CSD16409Q3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司CSD16409Q3深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
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CSD16409Q3N-Channel NexFET™ Power MOSFETs TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO351.51 Kbytes共11页CSD16409Q3的PDF下载地址无
CSD16409Q3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
10+:￥5.53
25+:￥4.9901
50+:￥4.62
100+:￥4.37
250+:￥3.73
500+:￥3.3
750+:￥3.29
1000+:￥2.82011+:￥7.41
10+:￥6.6
25+:￥5.972500+:￥3.26127+:￥3.3301
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
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50+:￥4.62
100+:￥4.37
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500+:￥3.3
750+:￥3.29
1000+:￥2.82011+:￥7.41
10+:￥6.6
25+:￥5.972500+:￥3.26127+:￥3.33011+:￥3.9
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
10+:￥5.53
25+:￥4.9901
50+:￥4.62
100+:￥4.37
250+:￥3.73
500+:￥3.3
750+:￥3.29
1000+:￥2.82011+:￥7.41
10+:￥6.6
25+:￥5.972500+:￥3.26
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON$1.01000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.74
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
10+:￥5.53
25+:￥4.9901
50+:￥4.62
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1000+:￥2.82011+:￥7.41
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.6104
500:¥4.0793
2,500:¥2.8589
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
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25+:￥2.76
50+:￥2.73
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1000+:￥2.6
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Verical		CSD16409Q3Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.741+:￥6.1999
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500+:￥3.3
750+:￥3.29
1000+:￥2.82011+:￥7.41
10+:￥6.6
25+:￥5.972500+:￥3.26127+:￥3.33011+:￥3.91+:￥3.39
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		CSD16409Q3TI(德州仪器)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：8.2mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W 类型：N沟道1+:￥4.31
10+:￥4.19
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