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CSD16412Q5A /MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
CSD16412Q5A的规格信息
CSD16412Q5A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:2.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD16412Q5A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:33 S

下降时间:3.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.1 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5.7 ns

典型接通延迟时间:5.5 ns

单位重量:100 mg

供应商CSD16412Q5A
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深圳市凌特半导体科技有限公司CSD16412Q5A广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司CSD16412Q5A深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs1:¥6.9156
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Rochester		CSD16412Q5ATexas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs2500+:￥2.441+:￥5.57
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元器件资料网-Verical的LOGO
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