FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.35nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：36pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs