FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：160mA（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.35nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：36pF @ 25V

功率 - 最大值：445mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：6-TSSOP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs