Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：3,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：50V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：130mA
Rds（最大）@ ID，VGS：10 Ohm @ 130mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS：-
输入电容（Ciss）@ Vds的：45pF @ 25V
功率 - 最大：250mW
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：3TO-236AB
渠道类型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：50 V
最大连续漏极电流：0.13 A
RDS -于：10000@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
工作温度：-65 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：1.4(Max)
PCB：3
最大功率耗散：250
最大漏源电压：50
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：10000@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-65
供应商封装形式：TO-236AB
标准包装名称：SOT-23
最高工作温度：150
包装长度：3(Max)
引脚数：3
包装高度：1(Max)
最大连续漏极电流：0.13
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：130mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：2V @ 1mA
供应商设备封装：SOT-23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：10 Ohm @ 130mA, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：250mW
漏极至源极电压（Vdss）：50V
输入电容（Ciss ） @ VDS：45pF @ 25V
封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名称：568-1660-1
类别：Small Signal
配置：Single
外形尺寸：3 x 1.4 x 1mm
身高：1mm
长度：3mm
最大漏源电阻：10 Ω
最高工作温度：+150 °C
最大功率耗散：0.25 W
最低工作温度：-65 °C
包装类型：TO-236AB
典型输入电容@ VDS：25 pF V @ 25
宽度：1.4mm
连续漏极电流：0.13 A
栅源电压（最大值）：�20 V
功率耗散：0.25 W
漏源导通电阻：10 ohm
工作温度范围：-65C to 150C
极性：P
类型：Small Signal
元件数：1
工作温度分类：Military
漏源导通电压：50 V
弧度硬化：No
晶体管极性：:P Channel
Continuous Drain Current Id：:-130mA
Drain Source Voltage Vds：:-50V
On Resistance Rds(on)：:6ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs：:-10V
Threshold Voltage Vgs：:-2V
功耗：:250mW
Operating Temperature Min：:-65°C
Operating Temperature Max：:150°C
Transistor Case Style：:SOT-23