系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：230mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.35nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：36pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：340mW（Ta），2.7W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-101，SOT-883
封装形式Package：DFN
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：50V
连续漏极电流ID：0.23A
无铅情况/RoHs：否