BSS8402DW_R1_00001的供应商，BSS8402DW_R1_00001规格参数，BSS8402DW_R1

BSS8402DW_R1_00001 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tj),130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V,50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2V @ 1mA 漏源导通电阻：7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：N沟道和P沟道

BSS8402DW_R1_00001的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V,50V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）115mA(Tj),130mA(Tj)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA,2V @ 1mA

漏源导通电阻7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V

最大功率耗散（Ta=25°C）200mW(Tj)

类型N沟道和P沟道

BSS8402DW_R1_00001

BSS8402DW_R1_00001的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BSS8402DW_R1_00001	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	BSS8402DW_R1_00001	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
集好芯城	BSS8402DW_R1_00001	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	BSS8402DW_R1_00001	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BSS8402DW_R1_00001	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	BSS8402DW_R1_00001	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

BSS8402DW_R1_00001及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
BSS8402DW_R1_00001	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tj),130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V,50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2V @ 1mA 漏源导通电阻：7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：N沟道和P沟道	PANJIT(强茂)		423.38 Kbytes	共8页		无

BSS8402DW_R1_00001的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	BSS8402DW_R1_00001	PANJIT(强茂)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tj),130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V,50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2V @ 1mA 漏源导通电阻：7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：N沟道和P沟道	10+:￥0.305783 100+:￥0.229414 300+:￥0.215387 1000+:￥0.20136 5000+:￥0.195126 10000+:￥0.192045

BSS8402DW_R1_00001的相关型号