BSS84_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA(Tj) 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tj) 类型:P沟道
BSS84_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)130mA(Tj)
栅源极阈值电压2V @ 1mA
漏源导通电阻10Ω @ 100mA,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW(Tj)
类型P沟道
BSS84_R1_00001
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
BSS84_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA(Tj) 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tj) 类型:P沟道 | PANJIT(强茂) |  | 139.85 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
BSS84_R1_00001的全球分销商及价格
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 立创商城 | BSS84_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA(Tj) 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tj) 类型:P沟道 | 20+:¥0.16305 200+:¥0.122732 600+:¥0.115326 2000+:¥0.107921 10000+:¥0.104629 20000+:¥0.103003
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