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BSS816NWH6327XTSA1 /MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
BSS816NWH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:2.5 V

Qg-栅极电荷:0.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:BSS816

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:2.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:5.3 ns

零件号别名:BSS816NW BSS816NWH6327XT H6327 SP000917562

单位重量:5 mg

供应商BSS816NWH6327XTSA1
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BSS816NWH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 3.7uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO182.33 Kbytes共9页BSS816NWH6327XTSA1的PDF下载地址
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BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-31:¥2.9154
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BSS816NWH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 3.7uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1.4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥2.27
10+:¥2.21
30+:¥2.17
100+:¥2.13