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BSS806NEH6327XTSA1 /MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:1.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS806

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:9 S

下降时间:3.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

零件号别名:BSS806NE H6327 SP000999336

单位重量:8 mg

供应商BSS806NEH6327XTSA1
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BSS806NEH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO566.99 Kbytes共9页BSS806NEH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS806NEH6327XTSA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
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BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-31:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
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BSS806NEH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道5+:¥0.60476
50+:¥0.454334
150+:¥0.426705
500+:¥0.399076
2500+:¥0.386796
5000+:¥0.380729