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BSS806NH6327XT /MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
BSS806NH6327XT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:1.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS806

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:9 S

下降时间:3.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

零件号别名:BSS806NH6327XTSA1 SP000928952

单位重量:8 mg

供应商BSS806NH6327XT
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深圳市佳威星科技有限公司BSS806NH6327XTSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯幂科技有限公司BSS806NH6327XTSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司BSS806NH6327XTSA1广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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BSS806NH6327XTMOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO231.59 Kbytes共9页BSS806NH6327XT的PDF下载地址
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BSS806NH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO230.93 Kbytes共9页BSS806NH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS806NH6327XT的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3$0.53000
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Mouser 贸泽电子
BSS806NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-31:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
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Mouser 贸泽电子
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-31:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
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立创商城
BSS806NH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:750mV @ 11uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 2.3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥1.7003
10+:¥1.2712
30+:¥1.1924
100+:¥1.1136
500+:¥1.0785
1000+:¥1.0612