制造商:Comchip Technology

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Id-连续漏极电流:0.13 A

Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:6000 pC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Comchip Technology

正向跨导 - 最小值:50 mS

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:2.5 ns