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BSC100N06LS3G / MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC100N06LS3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:58 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GXT SP000453664

供应商BSC100N06LS3G
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BSC100N06LS3G的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON$1.05000
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BSC100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 31:¥7.2998
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
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BSC100N06LS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 23uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥3.96
10+:¥2.94
30+:¥2.75
100+:¥2.313
500+:¥2.241
1000+:¥2.196
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立创商城
BSC100N06LS3GATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 23uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥4.01
10+:¥3.03
30+:¥2.84
100+:¥2.527
500+:¥2.451
1000+:¥2.413