型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
BSC100N06LS3G | OptiMOS3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | ![INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO](/PdfSupLogo/211INFINEON.GIF) | 328.47 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
BSC100N06LS3G | OptiMOSTM3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | ![INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO](/PdfSupLogo/211INFINEON.GIF) | 400.57 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
BSC100N06LS3G_13 | OptiMOSTM3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | ![INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO](/PdfSupLogo/211INFINEON.GIF) | 400.57 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
BSC100N06LS3GATMA1 | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | Infineon Technologies |  | 337.27 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
BSC100N06LS3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | Infineon Technologies |  | 1.74 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
BSC100N06LS3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON | Infineon Technologies |  | 1.74 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
BSC100N06LS3GATMA1 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 23uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | Infineon(英飞凌) |  | 394.94 Kbytes | 共9页 |  | 无 |