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BSC0921NDI /MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
BSC0921NDI的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TISON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8.9 nC, 33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:38 S, 70 S

下降时间:2.4 ns, 3.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.4 ns, 5 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:1.8 ns, 5 ns

零件号别名:BSC0921NDIATMA1 BSC921NDIXT SP000934748

单位重量:101.600 mg

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BSC0921NDIInfineon Technologies AGSP000934748 DUAL N-CHANNEL OPTIMOS MOSFE5,000 : $1.2622
20,000 : $1.0519
45,000 : $0.9016
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BSC0921NDIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-81:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
5,000:¥4.9155
10,000:查看
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Mouser 贸泽电子
BSC0921NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-81:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
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立创商城
BSC0921NDIInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥9.44
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500+:¥3.53
1000+:¥3.46
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10+:¥13.55
30+:¥13.17
100+:¥12.78
500+:¥12.61
1000+:¥12.39