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BSC093N04LSG / MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC093N04LSG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:13 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:9.3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:2.8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:2.4 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:3.6 ns

零件号别名:BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGXT SP000387929

供应商BSC093N04LSG
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BSC093N04LSGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.2608
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Mouser 贸泽电子
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 31:¥6.3732
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
5,000:¥2.7572
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立创商城
BSC093N04LSGInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 14uA 漏源导通电阻:9.3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥3.67
10+:¥2.71
30+:¥2.53
100+:¥2.35
500+:¥2.27
1000+:¥2.24