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BSC098N10NS5 /MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:9.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:28 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSC098N10NS5ATMA1 SP001241598

单位重量:100 mg

供应商BSC098N10NS5
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BSC098N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 51:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
5,000:¥4.4748
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BSC098N10NS5Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.8V @ 36uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥6.58
10+:¥4.98
30+:¥4.69
100+:¥4.18
500+:¥4.0565
1000+:¥3.99