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BSC093N15NS5ATMA1 /MOSFET MV POWER MOS
BSC093N15NS5ATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:87 A

Rds On-漏源导通电阻:9.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:139 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:34 S

下降时间:3.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.3 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14.4 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:BSC093N15NS5 SP001279590

单位重量:100 mg

供应商BSC093N15NS5ATMA1
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