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BSC0925ND /MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8
BSC0925ND的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TISON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17 nC, 17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:38 S, 38 S

下降时间:3 ns, 3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8 ns, 3.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns, 17 ns

典型接通延迟时间:4.7 ns, 4.7 ns

零件号别名:BSC0925NDATMA1 BSC925NDXT SP000934752

单位重量:96 mg

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Mouser 贸泽电子		BSC0925NDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TISON-81:¥6.3054
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立创商城		BSC0925NDInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道1+:￥4.07
200+:￥1.58
500+:￥1.52
1000+:￥1.5
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